在高压预驱的使用中，一般会在DESAT检测电路的外部消隐电容上并联一个二极管，下面对该二极管的作用做一个说明。 当IGBT开通时，IGBT CE电压下降，DESAT二极管结电容开始放电，能量开始转移到消隐电容上，电流如下图红色路径，造成消隐电容上产生负压。然后内部开关断开，电流源开始给外部消隐电容Cb充电，负压得以恢复。结电容越大，储存的能量越大，造成的负压越大。负压可能会造成DESAT引脚损坏，增加额外的消隐时间，以至于在IGBT发生短路时不能立即保护。 综上，结电容越大，或者Udc越高，即结电容储存的能量越多，IGBT开通时在DESAT引脚上产生的负压越大。
增加该二极管是为了钳位DESAT引脚的负压。
如下图，当IGBT关断的时候，此时驱动芯片内部的放电开关(DESAT Discharge Switch)闭合，将内部电流源旁路，DESAT二极管的结电容承受母线电压(Vcj(0)=VBUS)。
增加钳位二极管可使该负压钳位在很小的值（视二极管参数决定）。
如下仿真，验证负压的影响因素：
①二极管结电容为29pF左右，DESAT负压为-27V左右；
②二极管结电容为2.9pF左右，DESAT负压为-3.3V左右；
③结电容不变（2.9pF），修改驱动电阻为16Ω、47Ω、100Ω，即调整dv/dt速度：
④固定dv/dt不变，调整Udc为400V、500V、600V：
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