8月11日—8月13日，Flash Memory Summit2015（FMS2015）在美国加州的圣克拉拉市召开，作为PCIe SSD技术及市场的重要推动者，Memblaze将携PBlaze4 PCIe SSD及第一代全闪存阵列产品原型 BlazeArray510亮相FMS2015。 PCIe SSD是闪存未来一个主流的产品形态，NVMe标准则进一步推动PCIe SSD生态走向成熟。另一方面，利用闪存全面的改造数据中心架构，就必须针对闪存而打造专属的全闪存存储系统替换数据中心中传统基于磁盘的Tie1存储。Memblaze在全闪存阵列相关的技术及产品线上早有布局，在FMS2015上第一代全闪存阵列产品原型 BlazeArray510得到首次展出。
BlazeArray 510全闪存阵列
BlazeArray 510不仅是Memblaze第一款全闪存阵列产品，同时也是全球第一款支持NVMe的全闪存阵列，主要做Tie 1层存储用于对IOPS、响应延迟及读/写带宽有极高要求的OLTP和OLAP应用及虚拟化场景。
Memblaze阵列产品经理张霄鹏表示：“Memblaze一方面从存储系统的角度出发，集成大量专利技术到BlazeArray 510中保障其高性能和企业级高可靠性；另一方面由于NVMe标准的PCIe SSD将成为主流的存储介质，而且NVMe over fabric具有高效、可扩展及简洁的优势。全闪存阵列BlazeArray 510全面支持NVMe标准，自此NVMe标准的PCIe SSD才真正进入到了主存储的领域。可以说BlazeArray 510搭建了一个适合在数据中心中推广的全闪存阵列架构。最后，BlazeArray 510还充分利用软件定义提高的灵活性和易用性，这就保障了企业客户能够快速的部署，并且运维和升级的复杂度也将随之降低。可以说支持NVMe标准及软件定义将是全闪存阵列两个最为重点的设计方向，BlazeArray 510的创新也是围绕此两点全面展开。”
BlazeArray 510全闪存阵列
BlazeArray 510采用1U机架规格，容量最高可达25.6 TB，产品支持16Gb/s FC、10Gb/s 以太网及56Gb/s Infiniband网络，并且支持当下所有主流的PCIe SSD产品。性能方面BlazeArray 510实现100万IOPS及350微秒的读写延迟性能，设备可提供8GB/s带宽。
Memblaze展台
从应用需求的角度出发，大数据的实时分析，众多OLTP 及OLAP场景，虚拟化、云计算都对存储的响应延迟、IOPS及带宽提出了非常高的要求，这些需求是全闪存阵列成为主流的重要保推动力。在过去数年之间，全闪存得到了快速的发展，但是由于存储介质仍为SATA或者SAS接口的SSD，性能未能达到闪存的极限，而高速接口的SSD往往存在着接口生态过于小众，标准化程度不高等问题。而支持NVMe标准的BlazeArray 510则完美的解决了这样两个问题，所以BlazeArray 510讲推动全闪存阵列走向一条高性能、高可靠、标准化的快车道。
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